Samsung запустила тестовое производство своей новой памяти HBM4, с целью начать массовое производство уже в конце 2025 года. Это на шесть месяцев раньше, чем планировалось изначально. Ожидается, что память нового поколения обеспечит рост скорости передачи данных на 66% по сравнению с предыдущей версией HBM3E и увеличит объем хранилища.
Компания завершила проектирование логических чипов для HBM4 и начала пробное производство на 4-нм техпроцессе. Эти работы ведутся на специализированном объекте D1c. Ожидается, что новая память обеспечит скорость передачи данных до 2 ТБ/с и поддержит интерфейс 2048 бит с пропускной способностью 6,4 GT/s. Кроме того, HBM4 будет иметь емкость до 48 ГБ, что на 33% больше, чем у текущих решений.
Память нового поколения будет использоваться в будущем GPU-платформе «Rubin» от Nvidia, которая будет выпускаться в 2026 году.
